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MemoryS 2025丨時(shí)創(chuàng)意SCY:以新總部大廈為起點(diǎn),賦能存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)新質(zhì)發(fā)展

2025-03-13      來(lái)源:

AI技術(shù)迅猛發(fā)展,以DeepSeek為代表的創(chuàng)新應(yīng)用,推動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)對(duì)超高速、超大容量、低功耗及小體積存儲(chǔ)解決方案的需求激增。


3月12日,時(shí)創(chuàng)意以“存儲(chǔ)芯地標(biāo)· 共贏新高度”為主題出席MemoryS 2025,此為時(shí)創(chuàng)意于年初整體搬遷至“新總部大廈”后參加的首場(chǎng)產(chǎn)業(yè)峰會(huì)。峰會(huì)期間,時(shí)創(chuàng)意全方位展示3款全新AI存儲(chǔ)產(chǎn)品與解決方案:超高速PCIe 5.0 SSD、高效能內(nèi)存LPDDR5X、小尺寸eMMC5.1。入駐新總部大廈后,時(shí)創(chuàng)意在新質(zhì)智造工藝與產(chǎn)能、產(chǎn)品研發(fā)創(chuàng)新和質(zhì)量接近飽和等方面不斷實(shí)現(xiàn)快速突破,受到與會(huì)嘉賓、媒體的廣泛關(guān)注。


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MemoryS 2025峰會(huì)現(xiàn)場(chǎng)


立足“存儲(chǔ)芯地標(biāo)”

 加速智造水平全面升級(jí) 


作為集研發(fā)、制造及營(yíng)銷于一體的存儲(chǔ)地標(biāo)性建筑,時(shí)創(chuàng)意總部大廈建筑面積達(dá)66000㎡,新質(zhì)智造產(chǎn)線全面投產(chǎn)后,時(shí)創(chuàng)意整體產(chǎn)能將提升300%以上。目前,時(shí)創(chuàng)意總部大廈引進(jìn)超薄研磨、隱形切割、壓縮塑封和一體化測(cè)試等多項(xiàng)業(yè)界領(lǐng)先工藝技術(shù)。截止目前,時(shí)創(chuàng)意芯片封測(cè)年產(chǎn)能達(dá)300KK,模組制造年產(chǎn)能達(dá)18KK,預(yù)計(jì)未來(lái)3至5年,年產(chǎn)能復(fù)合增長(zhǎng)率將超過(guò)20%。


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時(shí)創(chuàng)意總部大廈實(shí)拍圖


時(shí)創(chuàng)意智能制造中心采用動(dòng)態(tài)千級(jí)靜態(tài)百級(jí)無(wú)塵潔凈室,配備全球一流的SDBG隱切設(shè)備,晶圓研磨劃片達(dá)25um厚度薄Die,具備16 Die BGA芯片封裝能力,還引入C Molding工藝,具備0.6mm超薄芯片塑封能力,配置全球頂級(jí)測(cè)試設(shè)備,超高頻測(cè)試速率達(dá)11000MHz,達(dá)世界級(jí)標(biāo)準(zhǔn)或領(lǐng)先水平。


時(shí)創(chuàng)意通過(guò)智能化制造車間的建設(shè)和優(yōu)化,在交付能力、交付效率、全流程質(zhì)量管理和追溯體系建設(shè)方面提升明顯。通過(guò)智能化生產(chǎn)線和數(shù)字化管理系統(tǒng)的高效協(xié)同,產(chǎn)能大幅提升,同時(shí)顯著降低產(chǎn)品不良率,可快速響應(yīng)客戶需求,滿足大規(guī)模訂單交付要求。



布局AI多元場(chǎng)景應(yīng)用

聚力存儲(chǔ)新質(zhì)發(fā)展


超高速PCIe 5.0 SSD


時(shí)創(chuàng)意全新發(fā)布的S14K Pro PCIe 5.0 x4 NVMe SSD,專為AI、高性能計(jì)算、數(shù)據(jù)中心等對(duì)存儲(chǔ)性能要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì),為DeepSeek等AI應(yīng)用提供了強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持,助力AI模型訓(xùn)練、推理加速以及海量數(shù)據(jù)的高效處理。該產(chǎn)品支持端到端數(shù)據(jù)保護(hù)和動(dòng)態(tài)寫入加速、4K LDPC糾錯(cuò)算法;支持自適應(yīng)熱保護(hù)以及APST NVME 自主功率狀態(tài)轉(zhuǎn)換,可有效降低運(yùn)行能耗,延長(zhǎng)使用壽命。 


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時(shí)創(chuàng)意超高速PCIe 5.0 SSD實(shí)測(cè)


高效能LPDDR5X


時(shí)創(chuàng)意全新一代高效能內(nèi)存LPDDR5X,傳輸速率達(dá)8533Mbps,相較上一代產(chǎn)品性能提升33%,功耗降低達(dá)25%,充分滿足AI PC、AI手機(jī)等新一代智能終端的嚴(yán)苛需求,為AI模型的本地化運(yùn)行提供強(qiáng)有力的支持。


LPDDR5X采用WCK信號(hào)設(shè)計(jì)、多Bank Group模式,進(jìn)一步提高傳輸性能;通過(guò)動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)(DVFS),運(yùn)用“深度睡眠”模式、自適應(yīng)刷新管理功能,并引入Data-Copy、Write-X節(jié)能技術(shù),顯著降低功耗,極大延長(zhǎng)終端續(xù)航時(shí)間。


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小尺寸eMMC5.1


小尺寸eMMC5.1完美契合AI眼鏡、智能手表等智能穿戴設(shè)備對(duì)輕薄設(shè)計(jì)的嚴(yán)苛要求,助力實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)翻譯、場(chǎng)景識(shí)別、AR交互、健康監(jiān)測(cè)、運(yùn)動(dòng)追蹤等智能化功能,推動(dòng)智能穿戴設(shè)備向更高水平邁進(jìn)。 


該產(chǎn)品支持S.M.A.R.T自監(jiān)控/分析/報(bào)告技術(shù)、磨損均衡機(jī)制、垃圾回收機(jī)制;LDPC 3.0 ECC糾錯(cuò)與端到端數(shù)據(jù)保護(hù),有效提升數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性及完整性。


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時(shí)創(chuàng)意現(xiàn)場(chǎng)展臺(tái)


匯數(shù)“智”之勢(shì)

驅(qū)動(dòng)企業(yè)信息化全面升級(jí)


時(shí)創(chuàng)意以“標(biāo)準(zhǔn)化、自動(dòng)化、信息化”為基石,實(shí)現(xiàn)IT/OT深度融合與端到端流程貫通;并深度融合AI、大數(shù)據(jù)分析與數(shù)字孿生技術(shù),構(gòu)建數(shù)字化核心能力;同時(shí)并行與融合構(gòu)建實(shí)現(xiàn)“自學(xué)習(xí)、智能預(yù)測(cè)與全生態(tài)互聯(lián)互通”的智能化體系,形成數(shù)智化管理閉環(huán)。目前,時(shí)創(chuàng)意已通過(guò)國(guó)家智能制造能力成熟度三級(jí)認(rèn)證,完成從基礎(chǔ)信息化到智能化的躍遷,打造出覆蓋“數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)-智能應(yīng)用-業(yè)務(wù)增值”的全鏈條數(shù)智化建設(shè)藍(lán)圖。


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▲數(shù)智化管理平臺(tái)


展望未來(lái),時(shí)創(chuàng)意將堅(jiān)持高強(qiáng)度的研發(fā)投入,深化產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新,進(jìn)一步提升產(chǎn)品性能和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,持續(xù)推出更多高效能存儲(chǔ)方案,滿足AI、5G、自動(dòng)駕駛等新興領(lǐng)域的需求。同時(shí),時(shí)創(chuàng)意將加強(qiáng)與全球產(chǎn)業(yè)鏈伙伴協(xié)同,為推動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)新質(zhì)發(fā)展持續(xù)貢獻(xiàn)力量。