AI技術的快速普及，疊加智能終端、數(shù)據(jù)中心和高性能計算等領域的迅猛發(fā)展，存儲密集型應用需求急劇增長。以DeepSeek為代表的人工智能創(chuàng)新應用不斷涌現(xiàn)，推動了市場對超高速、超大容量、低功耗及小體積存儲解決方案的強烈需求，不僅成為多元化市場的關注焦點，也正成為存儲產(chǎn)業(yè)角逐的新高地。
3月12日，時創(chuàng)意將受邀出席CFMS丨MemoryS 2025閃存市場峰會，以“智領變革，存儲萬象”為主題，與全球產(chǎn)業(yè)鏈伙伴、業(yè)界菁英及專家共同探討在AI、5G、自動駕駛等前沿領域的存儲應用風向，分享技術變革浪潮下的高價值存儲技術解決方案。 此次峰會，時創(chuàng)意將重磅展示：以全面量產(chǎn)的1TB UFS 3.1為代表的超大容量嵌入式閃存系列產(chǎn)品，兼具低功耗、超高速特性的LPDDR5X，以及專為小體積智能穿戴設備設計的超薄ePOP存儲解決方案。模組方面，時創(chuàng)意將帶來順序讀寫速度分別達14000MB/s、13000MB/s的PCIe 5.0 SSD—S14K Pro，以及速率高達8000Mbps的DDR5 UDIMM RGB電競游戲版內(nèi)存產(chǎn)品。此外，時創(chuàng)意計劃年內(nèi)推出小體積、高性能的LPCAMM2內(nèi)存解決方案，其尺寸相比SODIMM縮小60%，頻率達7500MT/s，最大容量128GB，為AI應用等前沿存儲應用場景提供強有力的存儲方案。 目前，時創(chuàng)意總部大廈已全面投產(chǎn)運營，作為集研發(fā)、制造及營銷于一體的綜合性總部大廈，其實現(xiàn)了全樓宇的智能化與數(shù)字化管理，擁有國際標準化的千級無塵智能制造中心，時創(chuàng)意整體智造水平與產(chǎn)能得到大幅提升。其中，芯片封測制造前道工序采用全球一流的SDBG隱切設備，晶圓研磨劃片25um厚度薄Die，具備16 Die BGA芯片封裝能力；后道工序采用C Molding工藝，具備0.65mm超薄芯片塑封能力，配置全球頂級的TERADYNE測試設備，超高頻測試速率達11000MHz。 ▲時創(chuàng)意總部大廈實拍圖 此外，時創(chuàng)意總部大廈規(guī)劃建設總面積達3000㎡的存儲產(chǎn)品實驗工程中心，中心將具備嚴密完整的測試和分析流程體系，先進齊全的硬件環(huán)境和測試儀器設備，并配備經(jīng)驗豐富的實驗室測試人員，設有存儲器芯片與模組產(chǎn)品FA失效分析實驗區(qū)、環(huán)境實驗區(qū)、物理實驗區(qū)、環(huán)保測試區(qū)、兼容性試驗區(qū)、產(chǎn)品電性能試驗區(qū)等功能分區(qū)。 峰會期間，時創(chuàng)意在現(xiàn)場設有專屬會客廳，倪黃忠董事長將攜時創(chuàng)意高管團隊與您面對面探討AI時代芯動能，開拓數(shù)據(jù)存儲新邊界，解鎖智能浪潮新機遇。我們期待您的蒞臨！
