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聚焦MTS2025丨時創(chuàng)意：總部大廈喬遷在即，自研自造1TB UFS3.1全面量產(chǎn)

2024-11-22      來源：

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2024年，存儲產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷“冰火兩重天”的行情：消費電子存儲市場表現(xiàn)低迷，智能手機(jī)、筆電市場呈現(xiàn)出旺季不旺的景象；AI對存儲產(chǎn)品性能提出更高要求，助推高端存儲產(chǎn)品價格持續(xù)上漲，AI存儲應(yīng)用需求增長明顯，預(yù)計明年將迎來“百花齊放”的局面。

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11月20日，時創(chuàng)意董事長倪黃忠受邀出席MTS2025存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會，并發(fā)表《AI時代，存儲新勢力的長期主義與邊際思考》主題演講。他表示，存儲行業(yè)在市場壓力下的違規(guī)操作頻出，投機(jī)主義者閃進(jìn)和閃出、資本加持下無邊界擴(kuò)張等產(chǎn)業(yè)亂象叢生，但AI時代，存儲產(chǎn)業(yè)市場空間很大，存儲新勢力廠商應(yīng)堅持長期主義和邊際思考。


倪黃忠董事長認(rèn)為，存儲新勢力企業(yè)的長期主義，應(yīng)是堅持合法合規(guī)經(jīng)營，堅持持續(xù)、高強度的研發(fā)投入和國際先進(jìn)封測設(shè)備的持續(xù)投入，以實現(xiàn)企業(yè)可持續(xù)發(fā)展，保證研發(fā)理念與創(chuàng)新能力的前瞻性、領(lǐng)先性，使存儲企業(yè)的智造能力滿足未來AI應(yīng)用的存儲需求。


▲時創(chuàng)意董事長倪黃忠發(fā)表主題演講


談及邊際思考，倪黃忠指出：企業(yè)經(jīng)營應(yīng)堅持“有所為而有所不為”的原則，始終以人為本、以客戶為中心，通過技術(shù)創(chuàng)新和高效運營提供高質(zhì)量產(chǎn)品和服務(wù)，為社會創(chuàng)造價值。時創(chuàng)意致力于成為全球一流的存儲芯片及解決方案提供商，專注嵌入式存儲、模組存儲和移動存儲核心存儲應(yīng)用賽道，通過加強與國際一流的主控廠商和國際主流Memory Fab的深度合作，以高質(zhì)量產(chǎn)品和服務(wù)滿足全球客戶的存儲需求。


▲MTS2025主會場全景


演講環(huán)節(jié)中，倪黃忠董事長透露：時創(chuàng)意總部大廈喬遷在即，作為中國存儲行業(yè)新地標(biāo)，其定位為集研發(fā)、制造及營銷于一體的綜合性科技總部大廈，擁有國際標(biāo)準(zhǔn)化的千級無塵智能制造中心和前沿技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心，全樓宇實現(xiàn)智能化和數(shù)字化。依托總部大廈建設(shè)，時創(chuàng)意新產(chǎn)線全面投產(chǎn)后，整體產(chǎn)能將得到300%以上的提升，未來3-5年時創(chuàng)意年產(chǎn)值有望達(dá)到100億元規(guī)模。


演講環(huán)節(jié)尾聲，倪黃忠董事長代表時創(chuàng)意重磅發(fā)布定位高端智能移動終端，全新量產(chǎn)的高性能嵌入式閃存產(chǎn)品—1TB UFS3.1。



超高速讀寫

丨高性能嵌入式首選解決方案丨


此次發(fā)布的1TB UFS3.1嵌入式閃存芯片，順序讀寫速度分別高達(dá)2100MB/s、1700MB/s，理論帶寬達(dá)2.9GB/s，相較上一代產(chǎn)品在傳輸速率、功耗等綜合特性上實現(xiàn)大幅提升，擁有高速率、穩(wěn)定兼容、耐用可靠等優(yōu)勢。


時創(chuàng)意UFS3.1搭配自研軟固件架構(gòu)，新增寫入增強器(Write Booster)、深度睡眠（Deep Sleep）、性能調(diào)整通知（Performance?Throttling Notification）、主機(jī)性能增強技術(shù)(Host Performance Booster)等多項固件功能，實現(xiàn)極致流暢的速度響應(yīng)，尤其在連續(xù)讀寫操作中始終保持穩(wěn)定的高性能，極大縮短加載等待時間，提升工作效率。無論是啟動應(yīng)用程序、加載大型文件還是多任務(wù)處理，用戶都能暢享8K視頻、AR/VR、大型游戲運載時所帶來的優(yōu)質(zhì)體驗。


超小體積，更低能耗

丨賦能AI及多元智能終端應(yīng)用丨


智能終端內(nèi)部設(shè)計空間不斷壓縮，終端應(yīng)用數(shù)據(jù)規(guī)模與日俱增，存儲應(yīng)用終端對存儲器的尺寸大小及存儲容量都提出更高要求。時創(chuàng)意1TB UFS3.1器件尺寸僅為11×13.0×1.2mm，并將最大存儲容量擴(kuò)展至1TB，全方位滿足AI手機(jī)等前沿應(yīng)用以及主流智能終端的存儲需求。


▲時創(chuàng)意1TB UFS3.1實測（上）、嵌入式存儲產(chǎn)品展示（下）


AI+5G時代，在線游戲、AR/VR、超清視頻解碼等終端應(yīng)用對存儲續(xù)航能力的要求也愈發(fā)突顯。時創(chuàng)意1TB UFS 3.1引入主機(jī)碎片化整理技術(shù)（HID），優(yōu)化提升隨機(jī)讀寫性能，同時通過深度睡眠（Deep Sleep）技術(shù)降低自身工作壓力和減少對穩(wěn)壓器的喚醒，達(dá)到功耗更低、能效比更出色的性能目標(biāo)，極大地延長智能終端的電池續(xù)航時間。


領(lǐng)銜第二代Flip Chip先進(jìn)封裝

丨鑄造強勁性能與更高品質(zhì)丨


時創(chuàng)意緊貼終端存儲市場的實際需求，從產(chǎn)品仿真、設(shè)計、封裝到測試等方面進(jìn)行全面布局，采用第二代Flip Chip先進(jìn)封裝工藝，實現(xiàn)了UFS3.1、SD7.0等多款存儲產(chǎn)品的全面量產(chǎn)。


▲第二代Flip Chip先進(jìn)封裝產(chǎn)線


時創(chuàng)意UFS3.1采用第二代Flip Chip先進(jìn)倒裝焊技術(shù)，通過Bump連接方式實現(xiàn)了芯片與基板之間的電氣連接，克服了引線鍵合焊盤中心距極限的問題，極大縮小了芯片與封裝基板間的距離，使UFS3.1芯片得以在小尺寸、電性能、抗沖擊性和散熱性等方面達(dá)到更優(yōu)異的水準(zhǔn)，并極大簡化了封裝流程，有效降低生產(chǎn)成本。


面對AI應(yīng)用快速發(fā)展及智能化浪潮帶來的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，時創(chuàng)意將持續(xù)深入洞察存儲應(yīng)用需求，夯實自身研發(fā)與制造基礎(chǔ)，完善存儲應(yīng)用資源生態(tài)，以兼具高傳輸速率、強可靠與兼容性、超低功耗的先進(jìn)技術(shù)研發(fā)成果，為全球存儲產(chǎn)業(yè)客戶提供一站式存儲解決方案服務(wù)。